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過電壓保護器發展所需要的功能材料十分廣泛，其中包括金屬、半導體、電介質、磁性體、生物體等等。功能材料的開發是基礎。

在這些過電壓保護器所需要的功能材料中，半導體是代表性的硅和鍺，是最常見的半導體材料。硅資源豐富，用途廣泛。但為了滿足開發新型傳感器的需要，人們正在研究各種新型半導體材料，如GaAs等復合半導體材料。

利用超晶格的結構可以調整材料的禁帶寬度，這就揭開了制造超導材料的秘密，就能比較容易地研制出液氮溫度下或在較高溫度下的實用超導材料，那么制成人們夢寐以求的工作溫度較高的超導量子干涉探測器就為期不遠了。